標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強(qiáng)的晶體缺陷的檢測。硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)也可參照此方法。

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 4058-2009

標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

英文名稱：Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2009-10-30

實(shí)施日期：2010-06-01

中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合

國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 4058-1995

起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠

歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會

發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

檢測流程

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考，更多其他檢測內(nèi)容請咨詢客服。