GB/T 39157-2020.Classification and definition of the technology readiness levels for targets.
1范圍
GB/T 39157規(guī)定了靶材技術(shù)成熟度的術(shù)語和定義、等級(jí)劃分和判定規(guī)則。
GB/T 39157適用于靶材技術(shù)成熟度評(píng)價(jià)。
2術(shù) 語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件。
2.1
靶材 target
在濺射沉積技術(shù)中的陰極部分。該陰極材料在帶正電荷的陽離子撞擊下以分子、原子或離子的形式脫離陰極而在陽極表面沉積。
2.2
技術(shù)成熟度 technology readiness
技術(shù)滿足預(yù)期靶材應(yīng)用目標(biāo)的程度。
2.3
技術(shù)成熟度等級(jí) technology readiness levels
用于衡量靶材技術(shù)滿足預(yù)期應(yīng)用目標(biāo)程度的尺度。
注:改寫GB/T 37264-2018,定義2.2。
2.4
技術(shù)參數(shù) technical parameter
針對(duì)某一事物在規(guī)定的檢測(cè)條件下得出的相對(duì)數(shù)據(jù)。
注:一般是指設(shè)計(jì)或生產(chǎn)時(shí)做出的性能測(cè)試報(bào)告。
2.5
靶材樣品 target samples
在實(shí)驗(yàn)室階段,根據(jù)靶材設(shè)計(jì)要求而制備的用于測(cè)試主要性能、結(jié)構(gòu)和檢驗(yàn).工藝性能的實(shí)物,具備了靶材的部分特性。
注:改寫GB/T 37264-2018,定義2.3.
2.6
靶材試制品 target developed products
在靶材工程化階段,考慮最終形式，并在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境或使用環(huán)境下,對(duì)靶材關(guān)鍵性能和功能進(jìn)行測(cè)試,通過小批量或小規(guī)模制備的實(shí)物。
注:改寫GB/T 37264-2018,定義2.4。
2.7
實(shí)驗(yàn)室環(huán)境 laboratory environments
實(shí)驗(yàn)室的檢測(cè)和校準(zhǔn)設(shè)施以及環(huán)境條件,用于驗(yàn)證技術(shù)原理和使用功能。
2.8
模擬環(huán)境 simulation environments
模擬真實(shí)使用環(huán)境,用以驗(yàn)證靶材的關(guān)鍵性能或其主要組成部分的關(guān)鍵性能。

檢測(cè)流程

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