標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片體電阻率和硅薄膜薄層電阻的非接觸渦流測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑或邊長(zhǎng)大于30mm、厚度為0.1～1mm的硅單晶切割片、研磨片和拋光片(簡(jiǎn)稱(chēng)硅片)的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6616-1995

標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定 非接觸渦流法

英文名稱(chēng)：Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage

標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢

發(fā)布日期：1995-04-18

實(shí)施日期：1995-01-02

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（ICS）：29.040.30

替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB 6616-1986;被GB/T 6616-2009代替

起草單位：電子部標(biāo)準(zhǔn)化所

歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

發(fā)布單位：國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局

檢測(cè)流程

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