標準簡介：本標準詳細規(guī)定了用扇形磁場或四極桿式二次離子質(zhì)譜儀對硅中砷進行深度剖析的方法，以及用觸針式輪廓儀或光學(xué)干涉儀深度定標的方法。本標準適用于砷原子濃度范圍從1×10????16?? atoms/cm??3～2.5×10????21?? atoms/cm??3的單晶硅、多晶硅、非晶硅樣品，坑深在50 nm及以上。

標準號：GB/T 32495-2016

標準名稱：表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中砷的深度剖析方法

英文名稱：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon

標準類型：國家標準

標準性質(zhì)：推薦性

標準狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2016-02-24

實施日期：2017-01-01

中國標準分類號（CCS）：化工>>化工綜合>>G04基礎(chǔ)標準與通用方法

國際標準分類號（ICS）：化工技術(shù)>>分析化學(xué)>>71.040.40化學(xué)分析

起草單位：中國電子科技集團公司第四十六研究所

歸口單位：全國微束標準化技術(shù)委員會(SAC/TC 38)

發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.

檢測流程

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