標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體器件制備中用作檢驗和工藝控制的硅單晶試驗片的技術(shù)要求。本標(biāo)準(zhǔn)涵蓋尺寸規(guī)格、結(jié)晶取向及表面缺陷等特性要求。本標(biāo)準(zhǔn)涉及了50.8mm~300mm 所有標(biāo)準(zhǔn)直徑的硅拋光試驗片技術(shù)要求。對于更高要求的硅單晶拋光片規(guī)格,如:顆粒測試硅片、光刻分辨率試驗用硅片以及金屬離子監(jiān)控片等,參見SEMI24《硅單晶優(yōu)質(zhì)拋光片規(guī)范》。

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 26065-2010

標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅單晶拋光試驗片規(guī)范

英文名稱：Specification for polished test silicon wafers

標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2011-01-10

實施日期：2011-10-01

中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合

國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

起草單位：寧波立立電子股份有限公司、杭州海納半導(dǎo)體有限公司

歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/T

發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.

檢測流程

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