標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直流四探針法測(cè)量鍺單晶電阻率的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍鍺單晶的體電阻率以及測(cè)量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍鍺單晶圓片（簡(jiǎn)稱圓片）的電阻率。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 26074-2010

標(biāo)準(zhǔn)名稱：鍺單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法

英文名稱：Germanium monocrystal—Measurement of resistivity-DC linear four-point probe

標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2011-01-10

實(shí)施日期：2011-10-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬化學(xué)分析方法>>H17半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：冶金>>金屬材料試驗(yàn)>>77.040.99金屬材料的其他試驗(yàn)方法

起草單位：南京中鍺科技股份有限公司、北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技有限公司、云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/T

發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

檢測(cè)流程

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