標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)給出了使用連續(xù)變波長(zhǎng)、變角度的光譜型橢圓偏振儀測(cè)量硅表面上二氧化硅薄層厚度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)試硅基底上厚度均勻、各向同性、10nm~1000nm 厚的二氧化硅薄層厚度,其他對(duì)測(cè)試波長(zhǎng)處不透光的基底上單層介電薄膜樣品厚度測(cè)量可以參考此方法。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 31225-2014

標(biāo)準(zhǔn)名稱：橢圓偏振儀測(cè)量硅表面上二氧化硅薄層厚度的方法

英文名稱：Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer

標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2014-09-30

實(shí)施日期：2015-04-15

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：機(jī)械>>機(jī)械綜合>>J04基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：計(jì)量學(xué)和測(cè)量、物理現(xiàn)象>>長(zhǎng)度和角度測(cè)量>>17.040.01長(zhǎng)度和角度測(cè)量綜合

起草單位：上海交通大學(xué)、納米技術(shù)及應(yīng)用國(guó)家工程研究中心

歸口單位：全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC279)

發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

檢測(cè)流程

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