標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于襯底室溫電阻率小于0.02Ω·cm和外延層室溫電阻率大于0.1Ω·cm且外延層厚度大于2μm的硅外延層厚度的測量。

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 14847-1993

標(biāo)準(zhǔn)名稱：重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

英文名稱：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢

發(fā)布日期：1993-01-02

實(shí)施日期：1994-09-01

中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法

國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：29.040.30

替代以下標(biāo)準(zhǔn)：被GB/T 14847-2010代替

起草單位：機(jī)電部四十六所

歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會

發(fā)布單位：國家技術(shù)監(jiān)督局

檢測流程

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考，更多其他檢測內(nèi)容請咨詢客服。