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GB/T14119-1993半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)

2024-10-31

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:本規(guī)范規(guī)定了編制半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲(chǔ)器詳細(xì)規(guī)范的基本原則。本規(guī)范是半導(dǎo)體集成電路一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個(gè),它應(yīng)與GB 4589.1《半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB 12750《半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范》一起使用。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 14119-1993

標(biāo)準(zhǔn)名稱:半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲(chǔ)器 空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)

英文名稱:Blank detail specification for semiconductor integrated circuit fusible-link programmable bipolar read-only memories

標(biāo)準(zhǔn)類型:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:1993-01-21

實(shí)施日期:1993-08-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):電子元器件與信息技術(shù)>>微電路>>L56半導(dǎo)體集成電路

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):電子學(xué)>>31.200集成電路、微電子學(xué)

起草單位:集成電路標(biāo)委會(huì)

歸口單位:全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

發(fā)布單位:國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局

檢測(cè)流程

檢測(cè)流程

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