標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 24579-2009酸浸取 原子吸收光譜法測(cè)定多晶硅表面金屬污染物

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質(zhì),并用石墨爐原子吸收定量檢測(cè)多晶硅塊表面上的痕量金屬雜質(zhì)分析方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于堿金屬、堿土金屬和*系列過(guò)渡元素如鈉、鋁、鐵、鉻、鎳、鋅的檢測(cè)。本標(biāo)準(zhǔn)適用于各種棒、塊、粒、鋉片形多晶或單晶硅表面金屬污染物的檢測(cè)。由于塊、片或粒形狀不規(guī)則,面積很難準(zhǔn)確測(cè)定,根據(jù)樣品重量計(jì)算結(jié)果。

英文名稱： Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy

中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合

ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

采標(biāo)情況： MOD SEMI MF 1724-1104

發(fā)布部門： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

發(fā)布日期： 2009-10-30

實(shí)施日期： 2010-06-01

首發(fā)日期： 2009-10-30

提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

檢測(cè)流程

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