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GB/T39516-2020微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板(幾何量)

2023-09-20

GB/T 39516-2020.Micro nano standard samples( geometric).
1范圍
GB/T 39516規(guī)定了微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板(幾何量)的術(shù)語(yǔ)和定義、型式與基本參數(shù)、要求、檢查條件、檢查方法、標(biāo)志、運(yùn)輸及儲(chǔ)存等。
GB/T 39516適用于線間隔為0.05μm~10μm的微納米線間隔標(biāo)準(zhǔn)樣板、臺(tái)階高度為0.01μm~100μm的微納米臺(tái)階高度標(biāo)準(zhǔn)樣板、薄膜厚度為2 nm~1 000 nm的納米膜厚標(biāo)準(zhǔn)樣板和線寬為25 nm~1 000 nm的納米線寬標(biāo)準(zhǔn)樣板。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T 17163-2008幾何 量測(cè)量器具術(shù)語(yǔ)基本術(shù)語(yǔ)
GB/T 25915.1-2010潔凈室 及相關(guān)受控環(huán)境第1部分:空氣潔凈度等級(jí)
3術(shù)語(yǔ)和定義
GB/T 17163-2008界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。
3.1
微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板(幾何量) micro nano standard samples geometric)
具有微納米級(jí)線間隔、臺(tái)階高度、薄膜厚度、線寬幾何特征結(jié)構(gòu)的,可用于微納米測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)樣板。
3.2
線間隔 pitch
具有微納米級(jí)準(zhǔn)確度和均勻性、刻線間距P不大于10μm的周期性刻線。以相鄰?fù)瑐?cè)周期性刻線邊緣之間的距離或相鄰周期性刻線幾何結(jié)構(gòu)中心之間的距離表征刻線間隔。
注:線間隔示意圖見圖1所示。
3.3
臺(tái)階高度 step height
具有微納米級(jí)準(zhǔn)確度和均勻性的臺(tái)階或溝槽。
3.4
薄膜厚度 film thickness
由硅基底表面和生長(zhǎng)層薄膜表面所確定的厚度量值。
注:薄膜厚度定義示意圖見圖3所示。
3.5
線寬 line width
線條兩側(cè)平均線邊緣之間的距離。
注:線寬示意圖見圖4所示。

檢測(cè)流程

檢測(cè)流程

溫馨提示:以上內(nèi)容僅供參考,更多其他檢測(cè)內(nèi)容請(qǐng)咨詢客服。

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