標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 6620-2009硅片翹曲度非接觸式檢測(cè)方法

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片(以下簡(jiǎn)稱硅片)翹曲度的非接觸式檢測(cè)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于50mm,厚度大于180μm 的圓形硅片。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測(cè)量其他半導(dǎo)體圓片的翹曲度。本檢測(cè)方法的目的是用于來(lái)料驗(yàn)收或過(guò)程控制。本檢測(cè)方法也適用于監(jiān)視器件加工過(guò)程中硅片翹曲度的熱化學(xué)效應(yīng)。

英文名稱： Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning

替代情況： 替代GB/T 6620-1995

中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H82元素半導(dǎo)體材料

ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

采標(biāo)情況： SEMI MF657-0705 MOD

發(fā)布部門： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

發(fā)布日期： 2009-10-30

實(shí)施日期： 2010-06-01

首發(fā)日期： 1986-07-26

提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

檢測(cè)流程

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