標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 6619-2009硅片彎曲度檢測方法

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片(以下簡稱硅片)彎曲度的接觸式測量方法，本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于250的圓形硅片的彎曲度，本檢測方法的目的是用于來料驗收和過程控制，本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測量其他半導(dǎo)體圓片彎曲度。

英文名稱： Test methods for bow of silicon wafers

替代情況： 替代GB/T 6619-1995

中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合

ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

采標(biāo)情況： SEMI MF534-0706 MOD

發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

發(fā)布日期： 2009-10-30

實施日期： 2010-06-01

首發(fā)日期： 1985-06-17

提出單位： 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC203)

檢測流程

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