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半導(dǎo)體晶體場效應(yīng)管(MOSFET,碳化硅MOSFET)檢測第三方機構(gòu)

2024-12-02

半導(dǎo)體晶體場效應(yīng)管(MOSFET,碳化硅MOSFET)檢測測試哪些項目?檢測周期多久呢?檢測費用是多少?我們嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)進行檢測和評估,確保檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。同時,我們還根據(jù)客戶的需求,提供個性化的檢測方案和報告,幫助廠家更好地了解產(chǎn)品質(zhì)量和性能。百檢第三方檢測機構(gòu)支持寄樣、上門檢測,主要為公司、企業(yè)、事業(yè)單位、個體商戶、高??蒲刑峁悠窓z測服務(wù),報告CMA/CNAS/CAL資質(zhì),真實有效。百檢也可依據(jù)相應(yīng)檢測標(biāo)準(zhǔn)或者根據(jù)您的需求設(shè)計檢測方案。

檢測項目(參考):

二極管正向壓降VSD、低溫測試、反向恢復(fù)時間trr、開關(guān)時間(td(on)、tt、tf、td(off))、柵極截止電流IGSS、柵電荷(Qg、Qgs、Qgd)、正向跨導(dǎo)gfs、漏-源擊穿電壓V(BR)DSS、漏-源通態(tài)電阻RDS(on)、漏極截止電流IDSS、瞬態(tài)熱阻Rth、穩(wěn)態(tài)熱阻Rja、Rjc、結(jié)電容(Ciss、Coss、Crss)、耐溶性、閾值電壓VGS(th)VGS(off)、高溫測試

檢測標(biāo)準(zhǔn)一覽:

1、GB/T 6571-1995 半導(dǎo)體器件 分立器件 第3部分:信號(包括開關(guān))和調(diào)整二極管 GB/T 6571-1995

2、GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009

3、GJB 548B-2005 微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005

4、GB/T4586-1994 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第8部分:場效應(yīng)功率晶體管 第Ⅳ章 第2條、第4條、第5條、第6條、第7條、第9條、第10條、第11條、第15條

5、GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第8部分:場效應(yīng)功率晶體管 GB/T4586-1994

6、GJB 128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗方法 4011

7、GJB 128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997

8、GB/T 6571-1995 半導(dǎo)體器件 分立器件 第3部分:信號(包括開關(guān))和調(diào)整二極管 第Ⅳ章4.2.3、4.2.4

9、GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗方法 215

10、MIL-STD- 750F 半導(dǎo)體器件的試驗方法 標(biāo)準(zhǔn)試驗方法 MIL-STD-750F

11、GJB 548B-2005 微電子器件試驗方法和程序 2015.1

12、MIL-STD-750F 半導(dǎo)體器件的試驗方法 標(biāo)準(zhǔn)試驗方法 3472.2

檢測報告用途

商超入駐、電商上架、內(nèi)部品控、招投標(biāo)、高??蒲械?。

檢測報告有效期

一般檢測報告上會標(biāo)注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標(biāo)注有效期。

檢測時間周期

一般3-10個工作日(特殊樣品除外),具體請咨詢客服。

檢測流程

檢測流程

溫馨提示:以上內(nèi)容僅供參考,更多其他檢測內(nèi)容請咨詢客服。

半導(dǎo)體二極管(穩(wěn)壓管,TVS,TSS,硅橋,硅堆,肖特基二極管)檢測認證機構(gòu)
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