艦船用非金屬材料檢測認(rèn)證機(jī)構(gòu)
2024-11-14
導(dǎo)體材料檢測標(biāo)準(zhǔn)是什么?檢驗(yàn)?zāi)男┲笜?biāo)?檢測周期多久呢?測試哪些項(xiàng)目呢?我們只做真實(shí)檢測。我們嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行檢測和評估,確保檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。同時(shí),我們還根據(jù)客戶的需求,提供個(gè)性化的檢測方案和報(bào)告,幫助廠家更好地了解產(chǎn)品質(zhì)量和性能。
體積電阻率、單位長度電阻、抗拉強(qiáng)度和斷裂伸長率試驗(yàn)、標(biāo)準(zhǔn)溫度電阻、電導(dǎo)率、電阻率、直流電阻比率、纏繞試驗(yàn)、質(zhì)量電阻率、金屬絲外徑、金屬護(hù)套厚度、鎧裝金屬絲鍍層重量試驗(yàn)、錫和銀鍍層連續(xù)性試驗(yàn)、鎳鍍層連續(xù)性試驗(yàn)、導(dǎo)電率、基體金屬雜質(zhì)含量(鉀、鈉、鈣、鎂、鋁、鉻、鐵、鎳、銅、鋅)、工業(yè)硅中鐵、鋁、鈣含量、碳化硅單晶拋光片微管密度、碳化硅單晶晶型、表面金屬雜質(zhì)含量(鉀、鈉、鈣、鎂、鋁、鉻、鐵、鎳、銅、鋅)、電阻率(電阻系數(shù))、熒光粉測定(發(fā)射峰值波長、發(fā)光效能、光轉(zhuǎn)化效率、量子效率、色品坐標(biāo)、發(fā)射光譜、相對亮度)、交流電壓試驗(yàn)、直流電壓試驗(yàn)、金屬材料電阻率試驗(yàn)、選區(qū)電子衍射、表面粗糙度、平整度、結(jié)晶質(zhì)量、方塊電阻、遷移率和載流子濃度、外延片發(fā)光波長、表面缺陷、外延層厚度、外延層摻雜濃度、碳、硫、鋰、鈹、硼、氟、鈉、鎂、鋁、鍺、硫、磷、氯、鉀、鈣、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鎵、砷、硒、溴、銣、鍶、釔、鋯、鈮、鉬、釕、銠、鈀、銀、鎘、銦、錫、銻、碲、碘、銫、鋇、鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥、鉿、鉭、鎢、錸、鋨、銥、鉑、金、汞、鉈、鉛、鉍、釷、鈾
1、GB/T 20123-2006/ISO 15350:2000 鋼鐵 總碳硫含量的測定 高頻感應(yīng)爐燃燒后紅外吸收法(常規(guī)方法)
2、GB/T 1551-2009 硅單品電阻率測定方法
3、GB/T 14634.2-2010 熒光粉測定(發(fā)射峰值波長、發(fā)光效能、光轉(zhuǎn)化效率、量子效率、色品坐標(biāo)、發(fā)射光譜、相對亮度)
4、ASTM B 193-20 電工導(dǎo)體材料電阻率標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法 ASTM B193-20
5、GB/T 18907-2013 微束分析 分析電子顯微術(shù) 透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法/
6、GB/T 12966:2008 鋁合金電導(dǎo)率渦流測試方法
7、GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
8、GB/T 32651-2016 采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測量太陽能級硅中痕量元素的測試方法
9、GB/T 14634.1-2010 熒光粉測定(發(fā)射峰值波長、發(fā)光效能、光轉(zhuǎn)化效率、量子效率、色品坐標(biāo)、發(fā)射光譜、相對亮度)
10、AS/NZS1660.1:1998 電纜、電線和導(dǎo)體試驗(yàn)方法—導(dǎo)體和金屬
11、GB/T 5838.3-2015 熒光粉測定(發(fā)射峰值波長、發(fā)光效能、光轉(zhuǎn)化效率、量子效率、色品坐標(biāo)、發(fā)射光譜、相對亮度)
12、SJ 21535-2018 電力電子器件用碳化硅外延片規(guī)范 SJ21535-2018
13、GB/T 351-2019 金屬材料 電阻率測量方法
14、ASTMB193-16 電工導(dǎo)體材料電阻率標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
15、CSA22.2NO.0.3-09(R2019) 電線電纜試驗(yàn)方法
16、GB/T 30854-2014 LED發(fā)光用氮化鎵基外延片 GB/T 30854-2014
17、AS/NZS 1660.1:1998 電纜、電線和導(dǎo)體試驗(yàn)方法—導(dǎo)體和金屬 2
18、SJ 21535-2018 電力電子器件用碳化硅外延片規(guī)范 SJ 21535-2018
19、GB/T 24582-2009 表面金屬雜質(zhì)含量(鉀、鈉、鈣、鎂、鋁、鉻、鐵、鎳、銅、鋅)
20、SJ/T 11501-2015 碳化硅單晶晶型的測試方法
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